ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев Ge(111)-7×7, выращенных на подложке Si(111), на диффузию адатомов Ge. Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов Ge на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры 7 × 7 и вызван образованием ковалентной связи между адатомом Ge и атомом димера в составе структуры 7 × 7. Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом Ge и атомом димера.

作者简介

R. Zhachuk

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: zhachuk@gmail.com
Новосибирск, Россия

参考

  1. H. Brune, K. Bromann, H. R¨oder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltze, K. Jacobsen, and J. Nørskov, Phys. Rev.B 52, R14380(R) (1995).
  2. Ratsch, A.P. Seitsonen, and M. Scheffler, Phys. Rev.B 55, 6750 (1997).
  3. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, and A. L. Aseev, Semicond. Sci.Technol. 26, 014027 (2010).
  4. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Phys.Rev.B 69, 125331 (2004).
  5. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Appl.Phys. Lett. 81, 4745 (2002).
  6. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci. 164, 367 (1985).
  7. H. J. Gossmann, J. C. Bean, L. C. Feldman, E. G. McRae, and I. K. Robinson. Phys.Rev. Lett. 55, 1106 (1985).
  8. R. Zhachuk, S. Teys, and J. Coutinho, J.Chem.Phys. 138, 224702 (2013).
  9. J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garc´ia, J. Junquera, P. Ordej´on, and D. Sanchez-Portal, J.Phys. Condens.Matter 14, 2745 (2002).
  10. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys.Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  11. Р.А.Жачук, С.А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, ЖЭТФ 140, 1113 (2011).
  12. C.M. Chang and C.M. Wei, Phys.Rev.B 67, 033309 (2003).
  13. R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, and S. Pereira, Appl.Phys. Lett. 95, 061901 (2009).
  14. T. Sato, S. I. Kitamura, and M. Iwatsuki, Surf. Sci. 445, 130 (2000).
  15. H. Uchida, T. Kuroda, F. B. Mohamad, J. Kim,K. Kashiwagi, K. Nishimura, and M. Inoue, Phys. Stat. Sol. 241, 1665 (2004).
  16. Vitali, M.G. Ramsey, and F.P. Netzer, Phys. Rev. Lett. 83, 316 (1999).
  17. O. Custance, I. Brihuega, J.M. G´omez-Rodr´iguez, and A.M. Bar´o, Surf. Sci. 482–485, 1406 (2001).
  18. O. Custance, S. Brochard, I. Brihuega, E. Artacho, J.M. Soler, A.M. Bar´o, and J.M. G´omez-Rodr´iguez, Phys.Rev.B 67, 235410 (2003).
  19. J. Mysliveˇcek, P. Sobot´ik, I. Oˇst’´adal, T. Jarol´imek, and P. ˇSmilauer, Phys.Rev.B 63, 045403 (2001).
  20. Polop, E. Vasco, J.A. Mart´in-Gago, and J. L. Saced ´on, Phys.Rev.B 66, 085324 (2002).
  21. А.Е. Долбак, Р.А.Жачук,ЖЭТФ 160, 55 (2021).
  22. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Phys.Rev. Lett. 83, 120 (1999).
  23. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 514, 309 (2002).
  24. S. Ho, I. S. Hwang, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 564, 93 (2004).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024