Enviar artigo por via de e-mail ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge
- Autores: Zhachuk R.A.1
-
Afiliações:
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
- Edição: Volume 166, Nº 2 (2024)
- Páginas: 232-237
- Seção: Articles
- URL: https://transsyst.ru/0044-4510/article/view/653842
- DOI: https://doi.org/10.31857/S004445102408008X
- ID: 653842
Citar
Acesso aberto
Acesso está concedido
Somente assinantes
Resumo
С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев Ge(111)-7×7, выращенных на подложке Si(111), на диффузию адатомов Ge. Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов Ge на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры 7 × 7 и вызван образованием ковалентной связи между адатомом Ge и атомом димера в составе структуры 7 × 7. Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом Ge и атомом димера.
Sobre autores
R. Zhachuk
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Email: zhachuk@gmail.com
Новосибирск, Россия
Bibliografia
- H. Brune, K. Bromann, H. R¨oder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltze, K. Jacobsen, and J. Nørskov, Phys. Rev.B 52, R14380(R) (1995).
- Ratsch, A.P. Seitsonen, and M. Scheffler, Phys. Rev.B 55, 6750 (1997).
- O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, and A. L. Aseev, Semicond. Sci.Technol. 26, 014027 (2010).
- V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Phys.Rev.B 69, 125331 (2004).
- V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Appl.Phys. Lett. 81, 4745 (2002).
- Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci. 164, 367 (1985).
- H. J. Gossmann, J. C. Bean, L. C. Feldman, E. G. McRae, and I. K. Robinson. Phys.Rev. Lett. 55, 1106 (1985).
- R. Zhachuk, S. Teys, and J. Coutinho, J.Chem.Phys. 138, 224702 (2013).
- J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garc´ia, J. Junquera, P. Ordej´on, and D. Sanchez-Portal, J.Phys. Condens.Matter 14, 2745 (2002).
- P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys.Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
- Р.А.Жачук, С.А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, ЖЭТФ 140, 1113 (2011).
- C.M. Chang and C.M. Wei, Phys.Rev.B 67, 033309 (2003).
- R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, and S. Pereira, Appl.Phys. Lett. 95, 061901 (2009).
- T. Sato, S. I. Kitamura, and M. Iwatsuki, Surf. Sci. 445, 130 (2000).
- H. Uchida, T. Kuroda, F. B. Mohamad, J. Kim,K. Kashiwagi, K. Nishimura, and M. Inoue, Phys. Stat. Sol. 241, 1665 (2004).
- Vitali, M.G. Ramsey, and F.P. Netzer, Phys. Rev. Lett. 83, 316 (1999).
- O. Custance, I. Brihuega, J.M. G´omez-Rodr´iguez, and A.M. Bar´o, Surf. Sci. 482–485, 1406 (2001).
- O. Custance, S. Brochard, I. Brihuega, E. Artacho, J.M. Soler, A.M. Bar´o, and J.M. G´omez-Rodr´iguez, Phys.Rev.B 67, 235410 (2003).
- J. Mysliveˇcek, P. Sobot´ik, I. Oˇst’´adal, T. Jarol´imek, and P. ˇSmilauer, Phys.Rev.B 63, 045403 (2001).
- Polop, E. Vasco, J.A. Mart´in-Gago, and J. L. Saced ´on, Phys.Rev.B 66, 085324 (2002).
- А.Е. Долбак, Р.А.Жачук,ЖЭТФ 160, 55 (2021).
- S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Phys.Rev. Lett. 83, 120 (1999).
- S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 514, 309 (2002).
- S. Ho, I. S. Hwang, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 564, 93 (2004).
Arquivos suplementares
