ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев Ge(111)-7×7, выращенных на подложке Si(111), на диффузию адатомов Ge. Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов Ge на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры 7 × 7 и вызван образованием ковалентной связи между адатомом Ge и атомом димера в составе структуры 7 × 7. Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом Ge и атомом димера.

Авторлар туралы

R. Zhachuk

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: zhachuk@gmail.com
Новосибирск, Россия

Әдебиет тізімі

  1. H. Brune, K. Bromann, H. R¨oder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltze, K. Jacobsen, and J. Nørskov, Phys. Rev.B 52, R14380(R) (1995).
  2. Ratsch, A.P. Seitsonen, and M. Scheffler, Phys. Rev.B 55, 6750 (1997).
  3. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, and A. L. Aseev, Semicond. Sci.Technol. 26, 014027 (2010).
  4. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Phys.Rev.B 69, 125331 (2004).
  5. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Appl.Phys. Lett. 81, 4745 (2002).
  6. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci. 164, 367 (1985).
  7. H. J. Gossmann, J. C. Bean, L. C. Feldman, E. G. McRae, and I. K. Robinson. Phys.Rev. Lett. 55, 1106 (1985).
  8. R. Zhachuk, S. Teys, and J. Coutinho, J.Chem.Phys. 138, 224702 (2013).
  9. J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garc´ia, J. Junquera, P. Ordej´on, and D. Sanchez-Portal, J.Phys. Condens.Matter 14, 2745 (2002).
  10. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys.Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  11. Р.А.Жачук, С.А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, ЖЭТФ 140, 1113 (2011).
  12. C.M. Chang and C.M. Wei, Phys.Rev.B 67, 033309 (2003).
  13. R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, and S. Pereira, Appl.Phys. Lett. 95, 061901 (2009).
  14. T. Sato, S. I. Kitamura, and M. Iwatsuki, Surf. Sci. 445, 130 (2000).
  15. H. Uchida, T. Kuroda, F. B. Mohamad, J. Kim,K. Kashiwagi, K. Nishimura, and M. Inoue, Phys. Stat. Sol. 241, 1665 (2004).
  16. Vitali, M.G. Ramsey, and F.P. Netzer, Phys. Rev. Lett. 83, 316 (1999).
  17. O. Custance, I. Brihuega, J.M. G´omez-Rodr´iguez, and A.M. Bar´o, Surf. Sci. 482–485, 1406 (2001).
  18. O. Custance, S. Brochard, I. Brihuega, E. Artacho, J.M. Soler, A.M. Bar´o, and J.M. G´omez-Rodr´iguez, Phys.Rev.B 67, 235410 (2003).
  19. J. Mysliveˇcek, P. Sobot´ik, I. Oˇst’´adal, T. Jarol´imek, and P. ˇSmilauer, Phys.Rev.B 63, 045403 (2001).
  20. Polop, E. Vasco, J.A. Mart´in-Gago, and J. L. Saced ´on, Phys.Rev.B 66, 085324 (2002).
  21. А.Е. Долбак, Р.А.Жачук,ЖЭТФ 160, 55 (2021).
  22. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Phys.Rev. Lett. 83, 120 (1999).
  23. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 514, 309 (2002).
  24. S. Ho, I. S. Hwang, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 564, 93 (2004).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2024