Характеристики холодной плазменной струи при возбуждении синусоидальным и положительным импульсным напряжениями для медицинских приложений
- Авторы: Швейгерт И.В.1, Закревский Д.Э.2,3,1, Милахина Е.В.1,3,2, Гугин П.П.3,1, Бирюков М.М.4,5,1, Патракова Е.А.6, Троицкая О.С.4,1, Коваль О.А.1,4
-
Учреждения:
- Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН
- Новосибирский государственный технический университет
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
- Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН
- Новосибирский государственный университет
- Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РА
- Выпуск: Том 49, № 5 (2023)
- Страницы: 447-453
- Раздел: НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПЛАЗМА
- URL: https://transsyst.ru/0367-2921/article/view/668532
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367292122601400
- EDN: https://elibrary.ru/VEFPZI
- ID: 668532
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Низкотемпературные плазменные струи при атмосферном давлении, генерируемые синусоидальным и положительным импульсным напряжением, по-разному взаимодействуют с обрабатываемой поверхностью. В эксперименте и в численном моделировании сравниваются режимы работы струи гелиевой плазмы для этих типов рабочих напряжений. Ток разряда на обрабатываемой поверхности с течением времени, и нагрев поверхности изучены для различных параметров разряда, допустимых для противораковой терапии. Для повышения эффективности плазменной струи анализируется интенсивность спектра излучения. Нагрев поверхности контролируется для того, чтобы удовлетворить условиям безопасного плазменного воздействия на биологические объекты. Обсуждается влияние длительности импульса напряжения на интенсивность взаимодействия плазмы с поверхностью. Результаты воздействия на раковые клетки A549 и MCF-7 демонстрируют высокую эффективность холодной плазменной струи, генерируемой в оптимальных режимах.
Об авторах
И. В. Швейгерт
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН
Email: biryukov.mm@ya.ru
Россия, 630090, Новосибирск
Д. Э. Закревский
Новосибирский государственный технический университет; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН
Email: biryukov.mm@ya.ru
Россия, 630073, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск
Е. В. Милахина
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный технический университет
Email: ivschweigert@gmail.com
Россия, Новосибирск; Россия, Новосибирск; Россия, Новосибирск
П. П. Гугин
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН
Email: biryukov.mm@ya.ru
Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск
М. М. Бирюков
Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН; Новосибирский государственный университет; Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН
Email: biryukov.mm@ya.ru
Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск
Е. А. Патракова
Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РА
Email: biryukov.mm@ya.ru
Россия, 630090, Новосибирс
О. С. Троицкая
Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН; Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН
Email: biryukov.mm@ya.ru
Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск
О. А. Коваль
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН; Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: ivschweigert@gmail.com
Россия, Новосибирск; Россия, Новосибирск
Список литературы
- Chatraie M., Torkaman G., Khani M., Salehi H., Sho-kri B. // Sci. Reps. 2018. V. 8. P. 5621.
- Kos S., Blagus T., Cemazar M., Filipic G., Sersa G., Cvelbar U. // PLoS ONE. 2017. V. 12 (4). P. e0174966.
- Гугин П., Закревский Д., Милахина Е. // Письма ЖТФ. 2021. Т. 47. С. 22.
- Slikboer E., Viegas P., Bonaventura Z., Garcia-Caurel E., Sobota A., Bourdon A., Guaitella O. // Plasma Sources Sci. Technol. 2019. V. 28. P. 095016.
- Viegas P., Hofmans M., van Rooij O., Obrusnk A., Klarenaar B.L.M., Bonaventura Z., Guaitella O., Sobota A., Bourdon A. // Plasma Sources Sci. Technol. 2020. V. 29. P. 095011.
- Schweigert I.V., Zakrevsky Dm.E., Gugin P.P., Yelak E.V., Golubitskaya E.A., Troitskaya O.S., Koval O.A. // Appl. Sci. 2019. V. 9. P. 4528.
- Schweigert I.V., Alexandrov A.L., Zakrevsky Dm.E. // Plasma Sources Sci. Technol. 2020. V. 29. P. 12LT02.
- Schweigert I., Vagapov S., Lin L., Keidar M. // J. Phys D Appl. Phys. 2019. V. 52 (29). P. 295201.
- Koval O., Kochneva G., Tkachenko A., Troitskaya O., Sivolobova G., Grazhdantseva A., Nushtaeva A., Kuligi-na E., Richter V. // BioMed. Res. Int. 2017. V. 2017. P. 1.
Дополнительные файлы
