MAGNITOFONONNYE OSTsILLYaTsII SOPROTIVLENIYa V STRUKTURAKh S KVANTOVOY YaMOY GaAs I BAR'ERAMI IZ SVERKhREShETOK AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Исследованы магнитофононные осцилляции сопротивления (MPR), связанные с резонансным рассеянием электронов на оптических фононах при температурах 77–240 K, а также и резонансным рассеянием электронов на акустических фононах (PIRO) при температурах 10–25 K на одних и тех же образцах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток AlAs/GaAs, легированных Si. При исследованиях MPR было показано, что резонансное рассеяние электронов происходит на объемных продольных оптических фононах и не зависит от размерности системы, а также и от межподзонных переходов в системах с двумя подзонами пространственного квантования. Однако величина амплитуды осцилляции с номером N=1 в двумерных структурах зависит от соотношения механизмов рассеяния, т. е. от их строения. Что касается PIRO, то в образцах с двумя подзонами пространственного квантования резонансное рассеяние электронов на продольных акустических фононах наблюдается на фоне межподзонных переходов (MISO), что вызывает их интерференцию.

作者简介

I. Drichko

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Санкт-Петербург, Россия

I. Smirnov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: ivan.smirnov@mail.ioffe.ru
Санкт-Петербург, Россия

M. Safonchik

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Санкт-Петербург, Россия

M. Shakhov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Санкт-Петербург, Россия

A. Bakarov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

A. Bykov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

参考

  1. В. Л. Гуревич, Ю. А. Фирсов, ЖЭТФ 40, 198 (1961).
  2. S. M. Puri and T. H. Geballe, Bull. Am. Phys. Soc. 8, 309 (1963).
  3. С. С. Шалыт, Р. В. Парфеньев, В. М. Муждаба, ФТТ 6, 647 (1964).
  4. D. C. Tsui, Th. Englert, A. Y. Cho et al., Phys. Rev. Lett. 44, 341 (1980).
  5. D. C. Tsui, Th. Englert, J. C. Portal et al., Sol. St. Commun. 44, 1301 (1982).
  6. Giyuu Kido, Noboru Miura, Hideo Ohno et al., J. Phys. Soc. Jpn. 51, 2168 (1982).
  7. M. A. Brummell, R. J. Nicholas, M. A. Hopkins et al., Phys. Rev. Lett. 58, 77 (1987).
  8. D. R. Leadley, R. J. Nicholas, J. Singleton et al., Phys. Rev. Lett. 73, 589 (1994).
  9. C. Faugeras, D. K. Maude, G. Martinez et al., Phys. Rev. B 69, 073405 (2004).
  10. R. J. Nicholas, in Landau Level Spectroscopy, vol. 27.2, ed. by G. Landwehr and E. I. Rashba, Elsevier, Amsterdam, (1991), p. 777.
  11. M. Hass and B. W. Henvis, J. Phys. Chem. Solids 23, 1099 (1962).
  12. R. Stradling and R. Wood, J. Phys. C 1, 1711 (1968).
  13. A. Mooradian and G. B. Wright, Sol. St. Commun. 4, 431 (1966).
  14. B. Jusserand and J. Sapriel, Phys. Rev. B 24, 7194 (1981).
  15. R. Lassnig and W. Zawadzki, J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 5435 (1983).
  16. V. V. Afonin, V. L. Gurevich, and R. Laiho, Phys. Rev. B 62, 15913 (2000).
  17. А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан и др., Письма в ЖЭТФ 112, 475 (2020).
  18. A. V. Goran, A. A. Bykov, A. I. Toropov et al., Phys. Rev. B 80, 193305 (2009).
  19. M. A. Zudov, I. V. Ponomarev, A. L. Efros et al., Phys. Rev. Lett. 86, 3614 (2001).
  20. А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров и др., Письма в ЖЭТФ 81, 646 (2005).
  21. А. А. Быков, А. В. Горан, Письма в ЖЭТФ 90, 630 (2009).
  22. A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer et al., Phys. Rev. B 102, 086808 (2009).
  23. I. A. Dmitriev, A. D. Mirlin et al., Rev. Mod. Phys. 84, 1709 (2012).
  24. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 80, 075318 (2009).
  25. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 81, 195301 (2010).
  26. A. A. Bykov, A. V. Goran, and S. A. Vitkalov, Phys. Rev. B 81, 155322 (2010).
  27. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025