Влияние шума на резистивное переключение мемристора на основе стабилизированного диоксида циркония

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследовано влияние гауссова шума на переключение мемристора на основе ZrO2(Y) из низкорезистивного состояния (НРС) в высокорезистивное состояние (ВРС), включая переход из НРС в промежуточные метастабильные состояния. В качестве переключающих сигналов использовалась последовательность положительных (с добавлением или без добавления шумового сигнала) и отрицательных прямоугольных импульсов напряжения. Добавление шума к переключающему сигналу инициирует переключение мемристора из НРС в ВРС при меньших амплитудах импульсов, чем в случае переключения прямоугольными импульсами без наложения шума. Добавлением шума с определенными параметрами к прямоугольным переключающим импульсам может быть достигнуто необходимое (заданное) ВРС, минуя промежуточные состояния. При этом резистивное переключение реализуется без применения адаптивных протоколов переключения. Результаты настоящего исследования могут быть применены при разработке инновационных протоколов переключения мемристоров.

Об авторах

О. Н. Горшков

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Email: gorshkov@nifti.unn.ru
603022, Nizhny Novgorod, Russia

Д. О. Филатов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Email: gorshkov@nifti.unn.ru
603022, Nizhny Novgorod, Russia

М. Н. Коряжкина

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Email: gorshkov@nifti.unn.ru
603022, Nizhny Novgorod, Russia

В. А. Лобанова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Email: gorshkov@nifti.unn.ru
603022, Nizhny Novgorod, Russia

М. А. Рябова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: gorshkov@nifti.unn.ru
603022, Nizhny Novgorod, Russia

Список литературы

  1. S. H. Lee, X. Zhu, and W. D. Lu, Nano Res. 13, 1228 (2020).
  2. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nat. Mater. 80, 453 (2008).
  3. D. Ielmini, Semicond. Sci. Technol. 31, 063002 (2016).
  4. J. S. Lee, S. Lee, and T. W. Noh, Appl. Phys. Rev. 2, 031303 (2015).
  5. I. Riess, J. Electroceram. 39, 61 (2017).
  6. A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008).
  7. Z. Wang, H. Wu, G. W. Burr et al., Nat. Rev. Mater. 5, 173 (2020).
  8. A. Stotland and M. di Ventra, Phys. Rev. E 85, 011116 (2012).
  9. H. A. Kramers, Physica (Utrecht) 7, 284 (1940).
  10. D. O. Filatov, D. V. Vrzheshch, O. V. Tabakov et al., J. Stat. Mech. Theory Exp. 124026 (2019).
  11. A. N. Mikhaylov, D. V. Guseinov, A. I. Belov et al., Chaos, Solitons & Fractals 144, 110723 (2021).
  12. M. A. Ryabova, D. O. Filatov, M. N. Koriazhkina et al., J. Phys.: Conf. Ser. 1851, 012003 (2021).
  13. N. V. Agudov, A. A. Dubkov, A. V. Safonov et al., Chaos, Solutions and Fractals 150, 111131(2021).
  14. D. O. Filatov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov et al., Chaos, Solitons, & Fractals 156, 111810 (2022).
  15. M. N. Koryazhkina, D. O. Filatov, V. A. Shishmakova et al., Chaos, Solutions & Fractals 162, 112459 (2022).
  16. G. A. Patterson, P. I. Fierens, and D. F. Grosz, Appl. Phys. Lett. 103, 074102 (2013).
  17. V. Ntinas, A.Rubio, G. Ch. Sirakoulis et al., IEEE Trans. Circuits and Systems II 68, 1378 (2021).
  18. S. Menzel, U. Bottger, M. Wimmer, and M. Salinga, Adv. Func. Mater. 25, 6306 (2015).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2023