Определение тензора деформаций и полей упругих напряжений в алмазной пластине с большой кривизной изгиба на основе данных локального дифракционного метода Лауэ
- Авторы: Дигуров Р.В.1, Бланк В.Д.1, Денисов В.Н.1,2, Мартюшов С.Ю.1, Сорокин Б.П.1, Терентьев С.А.1, Поляков С.Н.1,3
-
Учреждения:
- Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
- Институт спектроскопии Российской академии наук
- Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук
- Выпуск: Том 164, № 6 (2023)
- Страницы: 885-895
- Раздел: Статьи
- URL: https://transsyst.ru/0044-4510/article/view/653587
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451023120027
- EDN: https://elibrary.ru/NBMVBN
- ID: 653587
Цитировать
Аннотация
Алмазные монокристаллические пластины с цилиндрическим изгибом имеют большой потенциал для создания энергодисперсионных спектрометров и фокусирующих кристалл-монохроматоров. При их конструировании требуется учитывать значительные напряжения, возникающие при изгибе пластин. Представлены результаты расчета тензора деформаций и полей упругих напряжений в цилиндрически изогнутой монокристаллической алмазной пластине с ориентацией поверхности (110). Расчеты основаны на экспериментальных данных, полученных с помощью локального дифракционного метода Лауэ. Результаты расчетов могут быть использованы при проектировании новых рентгенооптических устройств с возможностью управления их параметрами.
Об авторах
Р. В. Дигуров
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
Email: roman.digurov@yandex.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia
В. Д. Бланк
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
Email: roman.digurov@yandex.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia
В. Н. Денисов
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов;Институт спектроскопии Российской академии наук
Email: roman.digurov@yandex.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia; 108840, Moscow, Troitsk, Russia
С. Ю. Мартюшов
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
Email: roman.digurov@yandex.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia
Б. П. Сорокин
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
Email: roman.digurov@yandex.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia
С. А. Терентьев
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
Email: roman.digurov@yandex.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia
С. Н. Поляков
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов;Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: spolyakov@phys.msu.ru
108840, Moscow, Troitsk, Russia; 119071, Moscow, Russia
Список литературы
- Y. Shvyd'ko, S. Terentyev, V. Blank et al., J. Synchrotron Rad. 28, 1720 (2021).
- I. Nam, C.-K. Min, B. Oh et al., Nat. Photon. 15, 435 (2021).
- J. Amann, W. Berg, V. Blank et al., Nat. Photon. 6, 693 (2012).
- B. Larson, W. Yang, G.E. Ice et al., Nature 415, 887 (2002).
- Д. М. Хейкер, В. А. Шишков, Ю. Н. Шилин и др., Кристаллография 52, 767 (2007).
- U. Boesenberg, L. Samoylova, T. Roth et al., Opt. Express. 25, 2852 (2017).
- S. Terentyev, V. Blank, T. Kolodziej et al., Rev. Sci. Instrum. 87, 125117 (2016).
- L. Samoylova, U. Boesenberg, A. Chumakov et al., J. Synchrotron Rad. 26, 1069 (2019).
- P. Qi, N. Samadi, M. Martinson, O. Ponomarenko et al., Sci. Rep. 9, 17734 (2019).
- V. D. Blank, M. S. Kuznetsov, S. Nosukhin et al., Diam. Relat. Mater. 16, 800 (2007).
- S. Polyakov, V. Denisov, N. Kuzmin et al., Diam. Relat. Mater. 20, 726 (2011).
- S. Terentyev, V. Blank, S. Polyakov et al., Appl. Phys. Lett. 107, 111108 (2015).
- В. Н. Решетов, И. В. Красногоров, В. В. Соловьев и др., Наноиндустрия 7-8, 466 (2022)
- A. Abboud, C. Kirchlechner, J. Keckes et al., J. Appl. Cryst. 50, 901 (2017).
- P. C. Wang, G. S. Cargill, and I. C. Noyan, MRS Online Proc. Library 375, 247 (1994).
- S. Tardif, A. Gassenq, K. Guilloy et al., J. Appl. Cryst. 49, 1402 (2016).
- X. Huang, J. Appl. Cryst. 43, 926 (2010).
- С. Г. Лехницкий, Теория упругости анизотропного тела, Наука, Москва (1977), с 87.
- L. Xing, K. Zhang, P. Liu et al., Proc. SPIE 12169, 1216982 (2022).
- Samuel Tardif, Alban Gassenq, Kevin Guilloy et al., J. Appl. Cryst. 43, 926 (2010).
- M. Morita and O. Umezawa, in Optical Measurements, Modeling, and Metrology, Vol. 5 (2011), p. 91.
- P. Qi, X. Shi, N. Samadi et al., Proc. SPIE 11108, 111080E (2019).
- M. A. Doronin, S. N. Polyakov, K. S. Kravchuk et al., Diam. Relat. Mater., 87, 149 (2018).
- Ю. И. Сиротин, М. П. Шаскольская, Основы кристаллофизики, Наука, Москва (1979).
- Б. П. Сорокин, Г. М. Квашнин, М. С. Кузнецов и др., Журнал СФУ, сер. Матем. и физ. 6:1 (2013).
Дополнительные файлы
