Синтез последовательно-параллельного преобразователя на основе нормально открытых полевых GаAs-транзисторов с использованием эволюционных алгоритмов

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлена новая методика синтеза схемного решения последовательно-параллельного преобразователя на основе 0.25 мкм GaAs pHEMT технологии с возможностью изготавливать только нормально открытые транзисторы. Показана применимость эволюционных алгоритмов для решения задачи структурно-параметрического синтеза последовательно-параллельного драйвера управления. Получено решение, которое схоже по структуре с решением разработчика, но обладает меньшим потреблением, более высоким быстродействием и теоретически меньше по размерам по сравнению с ранее разработанным драйвером. Сравнение результатов измерений и моделирования подтверждает работоспособность полученной схемы. Работа алгоритма синтеза занимает до 12 часов.

Об авторах

Д. В. Билевич

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Email: andrei.salnikov@main.tusur.ru
Россия, пр. Ленина, 40, Томск, 634050

А. С. Сальников

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Автор, ответственный за переписку.
Email: andrei.salnikov@main.tusur.ru
Россия, пр. Ленина, 40, Томск, 634050

А. Е. Горяинов

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Email: andrei.salnikov@main.tusur.ru
Россия, пр. Ленина, 40, Томск, 634050

И. М. Добуш

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Email: andrei.salnikov@main.tusur.ru
Россия, пр. Ленина, 40, Томск, 634050

А. А. Калентьев

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Email: andrei.salnikov@main.tusur.ru
Россия, пр. Ленина, 40, Томск, 634050

А. А. Попов

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Email: andrei.salnikov@main.tusur.ru
Россия, пр. Ленина, 40, Томск, 634050

Список литературы

  1. Liu B., Zhao D., Reynaert P., Gielen G. G.E. // IEEE Trans. 2011. V. CDI-30. № 10. P. 1458. doi: 10.1109/TCAD.2011.2162067
  2. Castejon F., Carmona E. J. // IEEE Access. 2020. V. 8. P. 137275. doi: 10.1109/ACCESS.2020.3011641
  3. Ding D., Zhang X., Zhang J. et al. // Proc. 2019 Int. Conf. Microwave and Millimeter Technology (ICMMT). Guangzhou 19–22 May. N.Y.: IEEE, 2019. Paper No. 8992460. doi: 10.1109/ICMMT45702.2019.8992460
  4. Koziel S., Bekasiewicz A. // IEEE Trans. 2016. V. MTT-64. № . 8. P. 2454. doi: 10.1109/TMTT.2016.2583427
  5. Koziel S., Bekasiewicz A., Kurgan P., Bandler J. W. // Proc. 2015 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Phoenix. 17–22 May. N.Y.: IEEE, 2015. Paper No. 7166738. doi: 10.1109/MWSYM.2015.7166738
  6. Nishino T., Itoh T. // IEEE Trans. 2022. V. MTT-50. № . 9. P. 2048. doi: 10.1109/TMTT.2002.802314
  7. Brito L. C., de Carvalho P. H.P. // Proc. 2003 SMBO/MTT-S Int. Microwave and Optoelectronics Conf. (IMOC). Foz do Iguacu. 23–20 Sept. N.Y.: IEEE, 2003. P. 135. doi: 10.1109/IMOC.2003.1244846
  8. Akada T., Fujimori K. // Proc. EuMC. Utrecht. 12–14 January. N.Y.: IEEE, 2021. P. 61. doi: 10.23919/EuMC48046.2021.9337992
  9. Majumder A., Chatterjee S., Chatterjee S. et al. // IEEE Microwave Wireless Components Lett. 2017. V. 27. № 4. P. 362. doi: 10.1109/LMWC.2017.2678437
  10. Liu B., Yang H., Lancaster M. J. // IEEE Trans. 2017. V. MTT-65 № 6. P. 1976. doi: 10.1109/TMTT.2017.2661739
  11. Anselmi N., Poli L., Rocca P., Massa A. // IEEE Trans. 2018. V. AP-66. № 12. P. 6906. doi: 10.1109/TAP.2018.2874433
  12. Choi K., Jang D.-H., Kang S.-I. et al. // IEEE Trans. 2016. V. MAG-52. № 3. P. 1. doi: 10.1109/TMAG.2015.2486043
  13. Ramella C., Longhi P. E., Nasri A. et al. // Proc. 2020 Int. Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC). Cardiff. 16–17 July. N.Y.: IEEE, 2020. Paper No. 9160147. doi: 10.1109/INMMiC46721.2020.9160147
  14. Pirola M., Quaglia R., Ghione G. et al. // Microelectronics J. 2014. V. 45. № 7. P. 864. doi: 10.1016/j.mejo.2014.04.036
  15. Harris M., Gui P. // Proc. 207 Texas Symp. on Wireless and Microwave Circuits and Systems (WMCS). Waco. 30–31 Mar. N.Y.: IEEE, 2017. Paper No. 8070676. doi: 10.1109/WMCaS.2017.8070676
  16. Bentini A., Pasciuto B., Ciccognani W. et al. // Int. J. Microwave Sci. Technol. 2011. V. 14. № 20. Article ID387137. doi: 10.1155/2011/387137
  17. Zhou S., Zhou S., Zhang J. et al. // Electronics. 2019. V. 8. № 4. Article No. 395. doi: 10.3390/electronics8040395
  18. Jeong J.-C., Yom I.-B., Kim J.-D. et al. // IEEE Trans. 2018. V. MTT-66. № 5. P. 2220. doi: 10.1109/TMTT.2017.2786698
  19. Ramella C., Estebsari M., Nasri A., Pirola M. // Electronics. 2021. V. 10. № 23. Article No. 3029. doi: 10.3390/electronics10233029
  20. Билевич Д. В. // Электрон. техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2021. V. 3. № 550. P. 26.
  21. Kim D., Yeom K. // Microwave Opt. Technol. Lett. 2020. V. 62. № 6. P. 2289. doi: 10.1002/mop.32294
  22. Lee C.-D., Lee D., Yeom K. // J. Korean Inst. Electromagn. Eng. Sci. 2018. V. 29. № 3. P. 171. doi: 10.5515/KJKIEES.2018.29.3.171
  23. Wang K., Wang Z., Wang G. et al. // IEICE Electron. Express. 2017. V. 14. № 20. P. 1. doi: 10.1587/elex.14.20170924
  24. Lee H., Kim Y., Lee I. et al. // Electronics. 2020. V. 9. № 8. Article No. 1327. doi: 10.3390/electronics9081327
  25. Stesev G., Budanov D., Balashov E. et al. // Proc. 2020 IEEE Int. Conf. on Electrical Engineering and Photonics (EExPolyTech). St. Petersburg. 15–16 Oct. N.Y.: IEEE, 2020. P. 67. doi: 10.1109/EExPolytech50912.2020.9243862
  26. Shur M. GaAs Devices and Circuits. Boston: Springer US, 1987.
  27. Bilevich D., Salnikov S., Dobush I. // Proc. 2022 Int. Siberian Conf. on Control and Communications (SIBCON). Tomsk. 17–19 Nov. N.Y.: IEEE, 2022. Paper No. 10002977. 1. doi: 10.1109/SIBCON56144.2022.10002977
  28. Soto A. T., Ponce De León Sentí E. E., Aguirre A. H. et al. // Computación y Sisemas. 2010. V. 13. № 4. P. 409.
  29. Rengasamy Di., Rothwell B., Figueredo G. P. // Proc. 2020 Int. Joint Conf. on Neural Networks (IJCNN). Glasgow. 19–24 July. N.Y.: IEEE, 2020. Paper No. 9207051. doi: 10.1109/IJCNN48605.2020.9207051
  30. Qi J., Du J., Siniscalchi S. M. et al. // IEEE Trans. 2020. V. SP-68. P. 3411. doi: 10.1109/TSP.2020.2993164
  31. Burrier R. A., Singh H. P., Sadler R. A. et al.// Proc. 1990 IEEE Int. Symp. on Circuits and Systems. N.Y.: IEEE, 1990. V. 1. P. 587. doi: 10.1109/ISCAS.1990.112129

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024