Влияние подслоя германия на процессы перколяции в ультратонких пленках меди и их оптические коэффициенты
- Авторы: Вдовин В.А.1, Андреев В.Г.1, Пятайкин И.И.1, Пинаев Ю.В.1
-
Учреждения:
- Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
- Выпуск: Том 69, № 5 (2024)
- Страницы: 448-454
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://transsyst.ru/0033-8494/article/view/650676
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424050074
- EDN: https://elibrary.ru/ILGOKX
- ID: 650676
Цитировать
Аннотация
Исследованы оптические коэффициенты пленок меди толщиной 1…16 нм, выращенных на подслое германия, напыленного на поверхность подложек из кварцевого стекла толщиной 4 мм. Измерения выполнены в прямоугольном волноводе сечением 23 × 10 мм2 в диапазоне частот 8.5…12.5 ГГц. В диапазоне толщин 2…16 нм обнаружено плавное изменение оптических коэффициентов пленок меди, выращенных на германиевом подслое. Установлено, что перколяционная толщина медных пленок, выращенных на подслое германия, заключена в диапазоне между 1 и 2 нм. Обнаружен сильный размерный эффект в пленках, выращенных на Ge-подслое, обусловленный рассеянием электронов проводимости преимущественно на межкристаллитных границах. Установлено, что коэффициент отражения электронов от межкристаллитных границ в пленках с Ge-подслоем более чем в три раза превосходит аналогичный коэффициент в пленках, выращенных непосредственно на подложке.
Об авторах
В. А. Вдовин
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: vdv@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009
В. Г. Андреев
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Email: vdv@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009
И. И. Пятайкин
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Email: vdv@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009
Ю. В. Пинаев
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Email: vdv@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009
Список литературы
- Каплан А. Е. // РЭ. 1964. Т. 9. № 10. С. 1781.
- Kaplan A. E. // J. Optical Soc.Am. B. 2018. V. 35. № 6. P. 1328. doi: 10.1364/JOSAB.35.001328
- Khorin I., Orlikovsky N., Rogozhin A. et al. // Proc. SPIE. 2016. V. 10224. Р. 1022407–1. doi: 10.1117/12.2266504
- Fuchs K. // Mathematical Proc. Cambridge Philosophical Soc. 1938. V. 34. № 1. P. 100. doi: 10.1017/S0305004100019952
- Dingle R. B. // Proc. Royal Soc. A. 1950. V. 201. № 1067. P. 545. doi: 10.1098/rspa.1950.0077
- Sondheimer E. H. // Adv. Phys. 1952. V. 1. № 1. P. 1. doi: 10.1080/00018735200101151
- Mayadas A. F., Shatzkes M., Janak J. F. // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 14. № 11. P. 345. doi: 10.1063/1.1652680
- Mayadas A. F., Shatzkes M. // Phys. Rev. B. 1970. V. 1. № 4. P. 1382. doi: 10.1103/PhysRevB.1.1382
- Camacho J. M., Oliva A. I. // Thin Solid Films. 2006. V. 515. P. 1881. doi: 10.1016/j.tsf.2006.07.024
- Андреев В. Г., Вдовин В. А., Глазунов П. С. и др. // Оптика и спектроскопия. 2022. Т. 130. № 9. С. 1410. doi: 10.21883/OS.2022.09.53304.3539–22
- Barmak K., Darbal A., Ganesh K. J. et al. // J. Vacuum Sci. Technol. A. 2014. V. 32. № 6. P. 061503–1. doi: 10.1116/1.4894453
- Вдовин В. А., Андреев В. Г., Глазунов П. С. и др. // Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 5. С. 834. doi: 10.21883/OS.2019.11.48524.132–19
Дополнительные файлы
