Russian Journal of Inorganic ChemistryRussian Journal of Inorganic ChemistryЖурнал неорганической химии0044-457X3034-560XThe Russian Academy of Sciences66525310.31857/S0044457X22601961SMSYCAСИНТЕЗ И СВОЙСТВА НЕОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙUnknownA Microstructural Study of the InSb〈Ni, Mn〉 alloyИсследование микроструктуры сплава InSb〈Ni, Mn〉SanyginV. P.СаныгинВ. П.
Russian Federation
sanygin@igic.ras.ruPashkovaO. N.ПашковаО. Н.sanygin@igic.ras.ruKurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of SciencesИнститут общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН0105202368559760226022025Copyright ©; 2023, В.П. Саныгин, О.Н. ПашковаCopyright ©; 2023, В.П. Саныгин, О.Н. Пашкова2023В.П. Саныгин, О.Н. ПашковаВ.П. Саныгин, О.Н. Пашковаhttps://transsyst.ru/0044-457X/article/view/665253

The InSb + 1 at % Ni + 1 at % Mn alloy was studied by optical microscopy and scanning electron microscopy. A Heusler phase based on NiMnSb in the form of microinclusions on InSb dislocations was detected. The chemical composition of the microinclusions on dislocation pile-ups ranges from Ni1.1MnSb to Ni1.2MnSb, and that on individual dislocations is close to Ni1.1MnSb. However, the synthesis gives rise to bulk structural defects in the form of micropores and to elastic deformations around them, which are the main obstacles to the creation of a coherent material with unhindered movement of polarized electrons throughout the volume.

Методами оптической и сканирующей электронной микроскопии исследован сплав InSb + 1 ат. % Ni + 1 ат. % Mn. Установлено наличие фазы Гейслера на основе NiMnSb в виде микровключений на дислокациях InSb. Химический состав микровключений на скоплении дислокаций лежит в интервале от Ni1.1MnSb до Ni1.2MnSb, а на отдельных дислокациях приближается по составу к Ni1.1MnSb. Однако возникающие в процессе синтеза объемные структурные дефекты в виде микропор и упругие деформации вокруг них являются основными проблемами при создании когерентного материала с беспрепятственным движением поляризованных электронов по всему объему.

magnetic semiconductorsdislocationsimpurity segregationмагнитные полупроводникидислокациисегрегация примесейAcet M., Manosa L., Planes A. // Handbook of Magnetic Materials. 2011. V. 19. P. 231. https://doi.org/10.1016/B978-0-444-53780-5.00004-1Ril A.I., Marenkin S.F. // Russ. J. Inorg. Chem. 2022. V. 67. № 13. P. 2113. https://doi.org/10.1134/S0036023622601684Еремеев С.В., Бакулин А.В., Кулькова С.Е. // ЖЭТФ. 2009. Т. 136. № 2. С. 393.Еремеев С.В., Кульков С.С., Кулькова С.Е. // Физика твердого тела. 2008. Т. 50. № 2. С. 250.Galanakis I., Lezaik M., Bihlmayer G., Blugel S. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. № 21. P. 214431. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.214431Wijs G.A., Groot R.A. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 020402. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.020402Sozinov A., Likhachev A.A., Lanska N., Ullakko K. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. № 10. P. 1746. https://doi.org/10.1063/1.1458075Khan M., Dubenko I., Stadler S., Ali N. // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. № 23. P. 235204. https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/23/235204Chatterjee S., Giri S., Majumdar S. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. V. 19. № 34. P. 346213. https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/34/346213Krenke T., Duman E., Acet M. et al. // Nature Materials. 2005. T. 4. № 6. P. 450. https://doi.org/10.1038/nmat1395Du J., Zheng Q., Ren W. J. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. № 18. P. 5523. https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/18/001Sutou Y., Imano Y., Koeda N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 19. P. 4358. https://doi.org/10.1063/1.1808879Dubenko I., Pathak A., Stadler S. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. P. 092408. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.092408Gardelis S., Androulakis J., Migiakis P. et al. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 12. P. 8063. https://doi.org/10.1063/1.1739293Gardelis S., Androulakis J., Monnereau O. et al. // J. Phys.: Conference Series. Second Conference on Microelectronics, Microsystems and Nanotechnology. 2005. V. 10. P. 167. https://doi.org/10.1088/1742-6596/10/1/041Wang F.F., Fukuhara T., Maezawa K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. V. 49. № 2. P. 25502. https://doi.org/10.1143/JJAP.49.025502Groot R.F., Mueller F.M. // Phys. Rev. Lett. 1983. V. 50. № 25. P. 2024.Ryba T., Vargova Z., Varga R. et al. // Acta Phys. Pol., A. 2014. V. 126. № 1. P. 206. https://doi.org/10.12693/APhysPolA.126.206Ritchie L., Xiao G., Ji Y. et al. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. № 10. P. 104430. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.104430Новиков И.И. Теория термической обработки металлов. М.: Металлургия, 1978. 392 с.Пашкова О.Н., Изотов А.Д., Саныгин В.П. и др. // Неорган. материалы. 2019. Т. 55. № 9. С. 941. https://doi.org/10.1134/S0002337X19090148Пашкова О.Н., Саныгин В.П., Иванов В.А. и др. // Неорган. материалы. 2006. Т. 42. № 5. С. 519.Саныгин В.П., Лобанов Н.Н., Изотов А.Д. и др. // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 9. С. 968. https://doi.org/10.7868/S0002337X14090139Кащенко Г.А. Основы металловедения. М.: Металлургиздат, 1950. 640 с.Webster P.J., Mankikar R.M. // J. Magn. Magn. Mater. 1984. V. 42. № 3. P. 300. https://doi.org/10.1016/0304-8853(84)90113-6Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука, 1979.