Легирование золотом кристаллов ZnO при их росте по механизму пар–жидкость–кристалл
- Авторы: Подкур П.Л.1, Волчков И.С.1, Задорожная Л.А.1, Каневский В.М.1
-
Учреждения:
- Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
- Выпуск: Том 69, № 2 (2024)
- Страницы: 252-258
- Раздел: РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://transsyst.ru/0023-4761/article/view/673205
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124020088
- EDN: https://elibrary.ru/YTCCGC
- ID: 673205
Цитировать
Аннотация
Выращены массивы микрокристаллов ZnO методом газофазного осаждения по механизму пар–жидкость–кристалл, где жидкая фаза – золото, на кремниевой подложке (111). Описаны различия в полученных кристаллах при времени роста 5, 10 и 15 мин. Рассчитаны параметры решеток микрокристаллов по мере увеличения времени роста: а = 3.316, c = 5.281; а = 3.291, c = 5.270; а = 3.286, c = 5.258 Å. Установлено изменение содержания Au в микрокристаллах по мере их роста, от 0.520 ат. % у подложки до 0.035 ат. % на поверхности кристаллов, после 15 мин роста. Приведены карты распределения элементов, дано объяснение различия параметров решеток полученных кристаллов с эталонными значениями.
Полный текст

Об авторах
П. Л. Подкур
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва
И. С. Волчков
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Автор, ответственный за переписку.
Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва
Л. А. Задорожная
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва
В. М. Каневский
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва
Список литературы
- Jayaprakash N., Suresh R., Rajalakshmi S. et al. // Mater. Technol. 2019. V. 35. P. 112. https://doi.org/10.1080/10667857.2019.1659533
- Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. С. 71.
- Наумов А.В., Плеханов С.И. // Энергия: экономика, техника, экология. 2013. Т. 7. С. 14.
- Rai P., Raj S., Ko K.-J. et al. // Sens. Actuators B Chem. 2013. V. 178. P. 107. https://doi.org/10.1016/j.snb.2012.12.031
- Zhao X., Lou F., Li M. et al. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 5507. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2013.10.140
- Pagano R., Ingrosso C., Giancane G. et al. // Materials. 2020. V. 13. P. 2938. https://doi.org/10.3390/ma13132938
- Ohtomo A., Kawasaki M., Ohkubo I. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 980. https://doi.org/10.1063/1.124573
- Брискина Ч.М., Маркушев В.М., Задорожная Л.А. и др. // Квантовая электроника. 2022. Т. 52. С. 676.
- Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Емельченко Г.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 37. С. 330.
- Li Z., Wang C. One-Dimensional Nanostructures Electrospinning: Technique and Unique Nanofibers. New York, Dordrecht, London: Springer Berlin Heidelberg, 2013. 141 p. https://doi.org/10.1007/978-3-642-36427-3
- Ляпина О.А., Баранов А.Н., Панин Г.Н. и др. // Неорган. матер. 2008. Т. 44. С. 958.
- Islam M.R., Rahman M., Farhad S.F.U. et al. // Surf. Interfaces. 2019. V. 16. P. 120. https://doi.org/10.1016/j.surfin.2019.05.007
- Тарасов А.П., Брискина Ч.М., Маркушев В.М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 110. С. 750. https://doi.org/10.1134/S0370274X19230073
- Тарасов А.П., Задорожная Л.А., Муслимов А.Э. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 114. С. 596. https://doi.org/10.31857/S1234567821210035
- Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. и др. // Кристаллография. 2020. Т. 65. С. 489. https://doi.org/10.31857/S0023476120030029
- Yamamoto T., Katayama-Yoshida H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. L166. https://doi.org/10.1143/JJAP.38.L166
- Joseph M., Tabata H., Kawai T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. L1205. https://doi.org/10.1143/JJAP.38.L1205
- Minegishi K., Koiwai Y., Kikuchi Y. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. L1453. https://doi.org/10.1143/JJAP.36.L1453
- Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Волков В.Т. и др. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. С. 284.
- Sernelius B.E., Berggren K.-F., Jin Z.-C. et al. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. P. 10244. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.10244
- Yoon M.H., Lee S.H., Park H.L. et al. // J. Mater. Sci. Lett. 2002. V. 21. P. 1703. https://doi.org/10.1023/A:1020841213266
- Nan T., Zeng H., Liang W. et al. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 340. P. 83. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.12.047
- Liu M., Qu S.W., Yu W.W. et al // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 231906. https://doi.org/10.1063/1.3525171
- Khalid A., Ahmad P., Alharthi A.I. et al. // Materials. 2021. V. 14. P. 3223. https://doi.org/10.3390/ma14123223
- Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Муслимов А.Э. и др. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. С. 51. https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.02.51914.19001
- Alsaad A.M., Ahmad A.A., Qattan I.A. et al. // Crystals. 2020. V. 10. P. 252. https://doi.org/10.3390/cryst10040252
- Волчков И.С., Ополченцев А.М., Задорожная Л.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. С. 7. https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47948.17808
- González-Garnica M., Galdámez-Martínez A., Malagón F. et al. // Sens. Actuators B Chem. 2021. V. 337. P. 129765. https://doi.org/10.1016/j.snb.2021.129765
- Редькин А.Н., Маковей З.И., Грузинцев А.Н. и др. // Неорган. матер. 2007. Т. 43. С. 301.
- Zadorozhnaya L.A., Tarasov A.P., Volchkov I.S. et al. // Materials. 2022. V. 15. P. 8165. https://doi.org/10.3390/ma15228165
Дополнительные файлы
